【摘 要】
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试验证明，利用非热平衡态的直流等离子体，可使ＴｉＮ的化学气相沉积温度由普通ＣＶＤ的１０００℃左右降到５００℃左右，膜的硬度达２０００ｋｇ／ｍｍ２（维氏）以上。研究了气压、气体配比及放电参数对膜沉积速度、硬度及结构的影
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试验证明，利用非热平衡态的直流等离子体，可使ＴｉＮ的化学气相沉积温度由普通ＣＶＤ的１０００℃左右降到５００℃左右，膜的硬度达２０００ｋｇ／ｍｍ２（维氏）以上。研究了气压、气体配比及放电参数对膜沉积速度、硬度及结构的影响。
Experiments show that the use of non-thermal equilibrium DC plasma TiN chemical vapor deposition temperature can be reduced from about 1000 ℃ ordinary CVD to about 500 ℃, the film hardness of 2000kg / mm2 (Vickers) above. The effects of pressure, gas ratio and discharge parameters on the deposition rate, hardness and structure of the films were investigated.
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