【摘 要】
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采用直流反应磁控溅射法在Si（111）基片上制备了AlN薄膜,利用X线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、原子力显微镜（AFM）对不同溅射功率下制备的AlN薄膜的结构及形貌进行了分析表
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,川庆钻探有限公司地址勘探开发研究院
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采用直流反应磁控溅射法在Si（111）基片上制备了AlN薄膜,利用X线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、原子力显微镜（AFM）对不同溅射功率下制备的AlN薄膜的结构及形貌进行了分析表征。结果表明：在一定范围内,随着溅射功率的增大,薄膜厚度增加,晶粒逐渐长大,表面粗糙度也随之增大;AlN（002）择优取向改善明显,120W时达到最佳。
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