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栅电荷提供关于功率MOSFET的电容、驱动需求和开关功耗等信息，是衡量MOSFET性能的主要指标。基于Won-So Son等人提出的SOI基绝缘槽结构LDMOS（TR-LDMOS）的RESURF条件，建立器件的栅电荷分析模型，发现TR-LDMOS所需Qgd比普通RESURF LDMOS（LR-LDMOS）少13．85％，所需Qg比LR-LDMOS少17．65％；完成对密勒电容充电的时间TR-LDMOS要比LR-LDMOS少用50ns。在TR-LDMOS模型基础上，结合仿真对沟道区不同时刻栽流子分布的描述，