纳米SnO2的制备及其气敏特性分析

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半导体纳米粒子应用于气敏材料是一新兴的研究领域,综述了SnO2 半导体超细化处理的研究进展。对各种制备方法作了详细描述,控制材料粒径的大小及粒度的分布、保证纳米团簇的稳定存在是纳米SnO2 制备的关键;分析了纳米SnO2 半导体材料的气敏特性,由于材料的比表面积增大、活性位增多,而具有着优异的气敏性能;并对其应用前景做出了进一步的展望。 The application of semiconductor nanoparticles to gas-sensitive materials is an emerging field of research, and the research progress on the ultra-fine processing of SnO2 semiconductors is reviewed. Various preparation methods were described in detail. Controlling the size of the material and the distribution of the particle size to ensure the stable existence of the nanoclusters is the key to preparing the nano-SnO2. The gas sensing properties of the nano-SnO2 semiconductor material are analyzed. Since the material ratio Surface area increases, active sites increased, and has excellent gas sensitivity; and prospects for its further development made.
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