【摘 要】
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采用λ／２的光束复制出了更高分辨率极限的线间图形。它将电路图形的ＣＤ尺寸极限推进到λ／４，当采用１９３ｎｍ光源曝光时，ＣＤ尺寸为５０ｎｍ以下。干涉光刻技术（ＩＬ）探讨了这种周期性图形的最终极限。影像干涉光刻
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采用λ／２的光束复制出了更高分辨率极限的线间图形。它将电路图形的ＣＤ尺寸极限推进到λ／４，当采用１９３ｎｍ光源曝光时，ＣＤ尺寸为５０ｎｍ以下。干涉光刻技术（ＩＬ）探讨了这种周期性图形的最终极限。影像干涉光刻技术未来的发展，将使光学方法制作１００ｎｍ以下的电路图形成为可能。
A beam with a λ / 2 replicates a line graph with a higher resolution limit. It advances the CD size limit of circuit graphics to λ / 4, and when using a 193 nm light source, the CD size is below 50 nm. Interference lithography (IL) explores the ultimate limits of this periodic pattern. The future development of the technology of image interference lithography will make it possible to fabricate the circuit pattern under 100nm by the optical method.
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“Taiyuan Daily” December 2, 1