多孔硅薄膜的红光激发上转换荧光特性

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测量了用电化学腐蚀法制备的多孔硅(PS)薄膜红光(600~800nm)激发下的光致发光(PL)谱和光致发光激发(PLE)谱,结果表明PS膜具有良好的上转换荧光特性,并随着存放时间的延长在一定期限内峰值强度有明显的增强。这种非线性光学响应的增强被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关。 The photoluminescence (PL) spectra and photoluminescence excitation (PLE) spectra of porous silicon (PS) thin films excited by 600 ~ 800 nm were measured by electrochemical etching. The results show that the PS films have good up-conversion Fluorescence characteristics, and with the extension of storage time within a certain period of peak intensity has been significantly enhanced. This enhancement of nonlinear optical response is thought to be related to the excitation of localized bound excitons by the space quantum confinement effect.
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