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本文首次对具有p-InGaAs肖特基势垒增强层的p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器做了较系统研究。实验结果表明：具有20nm厚增强层器件的暗电流为3．5×10^-11A(5伏，30×40μm^2）；而具有40nm厚增强层器件的FWHM为350ps(6伏）。
p—InGaAs／n—InGaAs MSM光电探测器研究
【摘 要】
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本文首次对具有p-InGaAs肖特基势垒增强层的p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器做了较系统研究。实验结果表明：具有20nm厚增强层器件的暗电流为3．5×10^-11A(5伏，30×40μ
【机 构】
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上海交通大学微电子技术所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1993年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金会与德国德意志研究联合会联合资助
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