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本文改进了半导体两带模型,计算了窄禁带半导体的非线性极化率.运用所求得的极化率,研究了InSb的光学双稳性,所得到的稳态曲线、临界开关光强与入射光频率的关系以及动态特性都与实验结果有较好的符合.
窄禁带半导体的非线性极化率和光学双稳态
【摘 要】
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本文改进了半导体两带模型,计算了窄禁带半导体的非线性极化率.运用所求得的极化率,研究了InSb的光学双稳性,所得到的稳态曲线、临界开关光强与入射光频率的关系以及动态特性
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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1989年6期
【基金项目】
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华南理工大学科研基金资助的课题
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