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采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备，用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源，三甲基锑和砷烷作为Ⅴ族源在（100）面GaSb和GaAs单晶衬底上分别外延生长了InAsSb材料．用X射线双晶衍射、原子力显微镜、扫描电镜和电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征，研究了生长温度、Ⅴ／Ⅲ比、过渡层等生长参数对外延层质量的影响．获得了与GaSb衬底晶格失配度为0．4％的表面光亮且晶体质量较好的InAS0.85Sb0.15外延层．