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采用掺氨砷压法在磷化镓衬底上外延生长掺碲n型的GaAs0.15P0.85:N/GaP材料,制成磷砷化镓黄色发光二极管,测量了其光学和电学性能。讨论了影响器件发光效率的因素。
磷砷化镓黄色发光二极管
【摘 要】
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采用掺氨砷压法在磷化镓衬底上外延生长掺碲n型的GaAs0.15P0.85:N/GaP材料,制成磷砷化镓黄色发光二极管,测量了其光学和电学性能。讨论了影响器件发光效率的因素。
【机 构】
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复旦大学,上海半导体器件六厂,江南无线电材料厂
【出 处】
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发光与显示
【发表日期】
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1982年01期
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