【摘 要】
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以微弧氧化法制备出锐钛矿型TiO2,进而以化学水浴法沉积CdS,通过调控时间,制备CdS/TiO2复合半导体薄膜.X射线检测表明,微弧氧化所制备的TiO2为锐钛矿结构,化学水浴法制备的Cd
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以微弧氧化法制备出锐钛矿型TiO2,进而以化学水浴法沉积CdS,通过调控时间,制备CdS/TiO2复合半导体薄膜.X射线检测表明,微弧氧化所制备的TiO2为锐钛矿结构,化学水浴法制备的CdS主要以离子离子的方式沉积在TiO2薄膜上.SEM及可见光催化降解亚甲基蓝的试验表明,沉积时间为15min的复合半导体薄膜上的CdS粒子呈圆球形、单层孤立、均匀地分散在TiO2表面,绝大多数粒子的粒径在nm级别,分布比较均匀,对亚甲基蓝有着较好的光催化性能,与TiO2薄膜相比,复合半导体薄膜的光催化性能有很大的提高.结合光催化评价结果,对复合半导体薄膜的光催化剂机制进行了讨论.
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