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报道了一种基于半绝缘砷化镓（SI-GaAs）又趾结构光电导天线在不同光生载流子浓度注入条件下，温度在4．2～270K之间的太赫兹（THz）发射频谱．实验结果表明当温度达到70K时，其THz发射强度达到最大值．光生载流子浓度和温度共同主导了THz波形和带宽．高照度情况下，大的光生载流子浓度导致空间电荷屏蔽．在此情况下，温度上升导致THz振荡的第一波谷退化．低照度情况下，THz波形呈现单极振荡，且随温度下降发射频谱出现红移．低温导致SI-GaAs的能隙和载流子迁移率发生变化，导致载流子出现谷带间散射，这一机制