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利用射频磁控溅射法在(LaAlO_3)_(0.3)(SrAl_(0.5)Ta_(o.5)O_3)_(0.7)(001)单晶基底上生长了镧掺杂BaSnO_3外延薄膜.通过Hall效应和热电势测量证实了镧掺杂BaSnO_3薄膜具有n型简并半导体特征,并且基于载流子浓度和Seebeck系数计算出电子的有效质量为0.31m_0(m_0为自由电子质量).镧掺杂BaSnO_3薄膜在可见波段具有良好的透明性(透过率大于73%).基于介电模型对薄膜的透过率曲线进行拟合,从拟合结果中不仅得到了薄膜的厚度为781.2 nm,