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通过对Ｚｎ ｘＣｄ１ － ｘＴｅ－ ＺｎＴｅ 多量子阱的光致发光研究，讨论了该材料的谱线增宽效应。指出材料阱层的组分涨落是激子谱线非均匀增宽的主要来源，而由流体力学性质决定的涨落，在组分张落中起着非常重要的作用。
ZnCdTe-ZnTe多量子阱的谱线增宽
【摘 要】
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通过对Ｚｎ ｘＣｄ１ － ｘＴｅ－ ＺｎＴｅ 多量子阱的光致发光研究，讨论了该材料的谱线增宽效应。指出材料阱层的组分涨落是激子谱线非均匀增宽的主要来源，而由流体力学性质决定的涨落，在组分张落中起着非常
【机 构】
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空军气象学院!南京211101,中国科学院长春物理研究所!长春130021
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1999年6期
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