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简要地介绍了氢离子敏场效应晶体管(H~+-ISFET)的基本结构和工作原理,提出了一种新型背面接触式H~+-ISFET。对该结构在版图、工艺设计中的有关问题,进行了探讨。最后指出:它在pH值的测量中有较好的实用价值。
一种新型背面接触式H^＋—ISFET
【摘 要】
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简要地介绍了氢离子敏场效应晶体管(H~+-ISFET)的基本结构和工作原理,提出了一种新型背面接触式H~+-ISFET。对该结构在版图、工艺设计中的有关问题,进行了探讨。最后指出:它
【机 构】
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东南大学微电子中心,东南大学微电子中心
【出 处】
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传感器技术
【发表日期】
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1992年4期
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