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在60Co γ射线辐射场中采用Pb/Al屏蔽和非屏蔽的方法,研究比较了低能散射对CMOS器件电离辐射效应的影响.在理论计算基础上,设计了Pb/Al屏蔽盒.实验结果表明,低能散射占总电离辐射吸收剂量的20%左右,采用Pb/Al屏蔽盒可以消除低能散射的影响,能更可靠地进行微电子器件抗辐射加固水平的精确评估与对比;低能散射对Kovar封装的器件产生剂量增强效应,剂量增强因子小于2.0.