【摘 要】
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采用脉冲直流（Pulsed DC）方式和不同的单组份气体（Ar、O2、N2）溅射制作IGZO,研究了缺氧（Ar）、富氧（O2）、氧替代（N2）三种情形下的IGZO-TFT特性。通过AES、XRD、AFM等分析手段,考察了不同
【机 构】
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采用脉冲直流（Pulsed DC）方式和不同的单组份气体（Ar、O2、N2）溅射制作IGZO,研究了缺氧（Ar）、富氧（O2）、氧替代（N2）三种情形下的IGZO-TFT特性。通过AES、XRD、AFM等分析手段,考察了不同气体制备的IGZO膜以及相应靶材的成分及结构,发现不同的溅射气体对IGZO膜的成分比例和电学结构具有重要的影响。实验结果表明,Ar-IGZO TFT在退火后具有良好的特性,S值为1 V/dec,迁移率可达8.3 cm2/Vs,开关比Ion/Ioff≥105。
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