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利用扫描俄歇微探针对多晶硅／二氧化硅界面进行分析，发现晶硅／二氧化硅界面不是突变的，而存在着一个过渡区。根据多晶硅薄膜的成核理论，分析了该过渡产生的原因，并利用“幸运载流子”模型，定量分析该过渡区对ＭＯＳ结构热流注入效应的影响。
多晶硅／二氧化硅界面的俄歇谱分析
【摘 要】
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利用扫描俄歇微探针对多晶硅／二氧化硅界面进行分析，发现晶硅／二氧化硅界面不是突变的，而存在着一个过渡区。根据多晶硅薄膜的成核理论，分析了该过渡产生的原因，并利用“幸运载流子
【机 构】
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东南大学微电子中心,中国华晶电子集团公司
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1996年3期
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