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采用放电等离子烧结（SPS）方法制备Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te合金，并分析研究其热电性能。结果表明：掺杂Ag后，合金AgxBi（2-x）Se0.3Te2.7（x=0．005-0．04）的Seebeck系数均为负值，说明材料属于n-型半导体；当温度大约在428．0K时，x=0．04合金的Seebeck系数绝对值（｜α｜）出现最大值，其值为1．80×10^-4 V·K^-1，比三元合金Bi2Se0.3Te2.7的最大值增大约16％；材料电导率随Ag含量的增加而下降。如果采用相同方法