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报道了反应离子刻蚀转移图形过程中对Amonil光刻胶的刻蚀参数优化的结果．利用软膜紫外光固化纳米压印技术，首先制备了线宽／间距均为200nm的纳米光栅结构．然后采用反应离子刻蚀的方法去除残留的Amonil光刻胶．研完了不同的气体组成、射频功率、压强和气体流量对刻蚀形貌、表面粗糙度以及刻蚀速度的影响．在优化的工艺条件下，获得了理想的具有垂直侧壁形貌和较小表面粗糙度的纳米光栅阵列．结果表明，选择优化的刻蚀工艺参数，既能有效地改善图形转移的性能，同时也能提高所制备结构的光学应用特性．