55nm低功耗产品漏电流优化的机理研究及解决方案

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半导体技术随着摩尔定律,工艺尺寸逐渐缩小,浅沟槽形貌对增加低功耗产品器件间的隔离效果,降低漏电流的作用越来越敏感[1].提出一种全新的优化浅沟槽形貌,降低器件间漏电流的设计理念[2]及实现方法.通过软件设计并模拟不同浅沟槽形貌下,漏电流的表现,得到顶部形貌的曲率半径对漏电流有敏感表现的结论,为降低漏电流提供指导性思想[3].后续把理论模型运用到实际工艺的优化中,菜单中在硬掩模层刻蚀步骤结束及有源区开始刻蚀前,使用高能量、高压力及大流量的重聚合物气体,形成圆滑的顶部形貌.
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