【摘 要】
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本文详细研究了VDMOS晶体管中的准饱和效应。研究表明,这种效应是由于器件的结型场效应晶体管区域内载流子速度饱和所引起。为了研究准饱和效应及其与不同的器件设计参数的关
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本文详细研究了VDMOS晶体管中的准饱和效应。研究表明,这种效应是由于器件的结型场效应晶体管区域内载流子速度饱和所引起。为了研究准饱和效应及其与不同的器件设计参数的关系,我们进行了两维数字模拟。大范围的电压和电流实验结果证实了计算的直流特性。另外,为了避免准饱和效应,确定了对p型基体间隔设计的限制。
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