基于CMOS工艺的RFID双频低噪声放大器设计与仿真

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设计出一种可应用于RFID系统,同时工作在915MHz和2.45GHz的双频段低噪声放大器.该设计以最大程度降低噪声为目标,采用并联LC网络替代传统单一高感值电感,并引入电流复用技术,最终实现高增益低功耗的双频段低噪声放大器的设计目标.仿真结果如下:在915MHz和2.45GHz的频率下,噪声系数均小于0.6dB;S(1,1)小于-15dB;S(2,2)小于-11dB;输入驻波比≤1.4;输出驻波比≤1.8;1dB压缩点约为-16.5dBm.仿真结果表明,在两个频段中的测试结果均优于预期指标的要求,为实际
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