基于0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30～34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)......

设计出一种可应用于RFID系统，同时工作在915MHz和2．45GHz的双频段低噪声放大器．该设计以最大程度降低噪声为目标，采用并联LC网络替代传......

SOI(Silicon-On-Insulator),即绝缘衬底上的硅。该技术是在顶层硅和背衬底之间加入一层埋氧化层,消除了体硅器件的闩锁效应,具有抗......

为了解决多模卫星导航系统中信号接收问题,基于0.18μmCMOS工艺设计了一种可重构低噪声放大器。低噪声放大器采用PCSNIM和电流复用......

宽带低噪声放大器是5G无线通信系统中的关键模块。针对6GHz以下5G通信应用频段,基于65nm CMOS工艺,设计了一种三级均匀分布式宽带......

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设计了一款超宽带低噪声放大器(UWB LNA).采用Cascode-共基极电流复用结构,直流通路时能有效降低功耗,交流通路时增加了电路的增益......

提出了一种基于跨导增强技术及噪声抵消技术的超宽带低噪声放大器电路,并且在电路中采用了电流复用技术。电路由输入级、放大级和......

提出了一种采用0.18μm CMOS工艺的3.1～10.6GHz超宽带低噪声放大器.电路的设计采用了电流复用技术与阻抗反馈结构,具有低功耗和平坦......