【摘 要】
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为了研究阻变存储器导电细丝的形成位置和分布规律,使用X射线光电子能谱研究了Ti/HfO_2/Pt阻变存储器件单元中Hf 4f的空间分布,得到了阻变层的微结构信息.通过I-V测试,得到该
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为了研究阻变存储器导电细丝的形成位置和分布规律,使用X射线光电子能谱研究了Ti/HfO_2/Pt阻变存储器件单元中Hf 4f的空间分布,得到了阻变层的微结构信息.通过I-V测试,得到该器件单元具有典型的阻变特性;通过针对Hf 4f的不同深度测试,发现处于低阻态时,随着深度的增加,Hf~（4＋）化学组分单调地减小;而处于高阻态和未施加电压前,该组分呈现波动分布;通过Hf~（4＋）在高阻态和低阻态下组分含量以及电子能损失谱分析,得到高阻态下Hf~（4＋）组分的平均含量要高于低阻态;另外,高阻态和低阻态下的O
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