【摘 要】
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通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率.结果 表明,在
【机 构】
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通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率.结果 表明,在ITO薄膜上蒸镀2 nm厚的Al层,经550℃退火后,金属Al在ITO薄膜上形成粒径约为10 nm的颗粒,增加了薄膜表面的粗糙度,得到的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段透过率的综合性能最佳,在360～410 nm波长的平均透过率大于95％,且方块电阻为22.8Ω/□.采用ITO/Al (100 nm/2 nm)复合透明导电薄膜制备了390 nm紫外发光二极管(LED)芯片(尺寸为325 μm×275 μm),与用ITO薄膜制备的LED芯片相比,其光电转换效率提升了约3％,饱和电流提升了15.00％,饱和光功率提升了15.04％.研究结果表明,采用ITO/Al复合透明导电薄膜可有效提升紫外LED的光电性能.
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