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非晶硅薄膜晶体管由于其较高的沟道电流温度系数而被用于非致冷型红外探测器。在工艺参数仿真的基础上成功地研制了离子注入型背栅非晶薄膜晶体管，并得到了典型的输出特性。制作出的晶体管具有较高的沟道电流温度变化系数，而且制作过程简单，并能与常规IC工艺兼容，制作温度不超过300℃。
用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管
【摘 要】
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非晶硅薄膜晶体管由于其较高的沟道电流温度系数而被用于非致冷型红外探测器。在工艺参数仿真的基础上成功地研制了离子注入型背栅非晶薄膜晶体管，并得到了典型的输出特性。制
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2006年4期
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