GaSe晶体的双光子吸收对太赫兹输出的影响

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根据光整流效应,利用超快激光脉冲泵浦GaSe晶体实现了0.2-2.5 THz的宽带太赫兹辐射输出。禁带中的电子在两个800 nm光子的作用下激发到导带中形成自由载流子,进而吸收所产生的太赫兹辐射,最终导致太赫兹的输出随泵浦功率的增加而趋于饱和。为了研究双光子吸收对太赫兹输出的影响,测量了800nm处的GaSe晶体的双光子吸收系数,结果为0.165 cm/GW。通过对太赫兹输出实验数据的拟合,得到GaSe晶体中自由载流子对太赫兹输出的吸收截面为1×10^-15cm^2。本文的研究结果可用于优化Ga
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