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在过去的二、三年里,HgCdTe MBE工艺技术已经取得了显著的进展。在本文中,我们首先讨论具有现代工艺技术水平的HgCdTe MBE系统,然后,对目前提供使用的、由MBE方法生长的HgCdTe层的结构、光学和电学性能作一概述。此外,对用MBE法生长的HgCdTe已经制备出的各种器件进行介绍。最后,我们讨论为焦平面应用而进一步完善HgCdTe MBE工艺技术所面临的问题以及未来的方向。