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本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构。
GaAs（100）衬底上自组织生长InAs量子点的研究
【摘 要】
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本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构。
【机 构】
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中国科学院半导体所超晶格微结构国家重点实验室,中国科学院北京电子显微镜实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年11期
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