Electron irradiation effects on DC electrical performances of SiGe HBT in a comparison with Si BJT

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The DC characteristics of SiGe HBT irradiated at different electron dose have been studied in a comparison with those of Si BJT. Generally, Ib and Ib - Ib0 increase, Ic, Ic - Ic0 and its +/- transition Vbe as well as DC current gainβ decreases with increa
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