【摘 要】
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随着科学技术的进步和集成电路市场日益扩大的需求 ,硅基集成电路的集成度越来越高 ,而集成度的提高是以其核心器件金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)的特征尺寸逐渐减
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随着科学技术的进步和集成电路市场日益扩大的需求 ,硅基集成电路的集成度越来越高 ,而集成度的提高是以其核心器件金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)的特征尺寸逐渐减小为基础的 .当栅极SiO2 介电层的厚度减小到原子尺度大小时 ,由于量子效应的影响 ,SiO2 将失去介电特性 ,因此必须寻找一种新的高介电常数 (high -K)的氧化物材料来代替它 .如今世界上许多国家都开展了替代SiO2 的介电氧化物材料的研究工作 .文章介绍了栅极介电层厚度减小带来的影响 ,栅极SiO2 介电层的高K氧化物材料的要求和粗选 ,并对近期高介电常数氧化物材料的研究状况作了简要的介绍和评述 .
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