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采用原位生成钡长石为烧结助剂，研究BAS/SiC复相陶瓷的低温无压液相烧结工艺，制备高致密度的陶瓷材料。通过XRD、SEM及力学试验机等研究烧结温度、BAS含量对复相碳化硅陶瓷的致密化、组织结构及力学性能的影响。结果表明：在1800 ℃温度下原位生成了BAS相，运用无压液相烧结法制备出了密度达到3.2 g/cm3的BAS/SiC复相陶瓷；陶瓷中BAS以六方结构析出、SiC颗粒均匀分布；烧结温度不宜超过1800 ℃，温度过高将促使碳化硅颗粒长大，损伤陶瓷材料抗弯强度和断裂韧度；当复相BAS/SiC陶瓷中BAS质量分数为30%时，弯曲强度达到413 MPa，模量达到210 GPa，断裂韧度达到5.03 MPa?m1/2。