【摘 要】
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美国麻省理工学院林肯实验室在半绝缘 GaAs 衬底上成功地制造了结合平衡混频器和MESFET 放大器的单片31GHz 接收机前端。在同一片子上制造了两种不同类型的器件:肖特基二极
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美国麻省理工学院林肯实验室在半绝缘 GaAs 衬底上成功地制造了结合平衡混频器和MESFET 放大器的单片31GHz 接收机前端。在同一片子上制造了两种不同类型的器件:肖特基二极管和 MESFET。初步结果是:在2.0GHz 中频下单边带噪声系数 NF 为11.5dB,在中频增加到2.6GHz 时,NF 增到13.3dB。在2.0～2.25GHz 内,增益约4dB,在2.3～2.6GHz
Massachusetts Institute of Technology Lincoln Laboratory successfully fabricated a monolithic 31GHz receiver front-end with balanced mixers and MESFET amplifiers on semi-insulating GaAs substrates. Two different types of devices are manufactured on the same film: Schottky diodes and MESFETs. The preliminary result is that the single sideband noise figure NF is 11.5dB at 2.0GHz intermediate frequency, and the NF increases to 13.3dB when the intermediate frequency is increased to 2.6GHz. In the 2.0 ~ 2.25GHz, the gain of about 4dB, at 2.3 ~ 2.6GHz
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