氧化层陷阱相关论文
给出了超薄栅 MOS结构中直接隧穿弛豫谱 ( DTRS)技术的细节描述 ,同时在超薄栅氧化层 (...
在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比,在小电流区,γ≈1,......
用反向GD法研究了高栅压应力下的LDD nMOSFET中的损伤情况.发现这种应力下产生电流峰值随着应力时间的增大变小,峰值变小和氧化层......
研究了栅氧厚度为1.4nmMOS器件在恒压直接隧穿应力下器件参数退化和应力感应漏电流退化.实验结果表明,在不同直接隧穿应力过程中,......
通过实验在室温下同时测量纳米MOSFET器件样品漏源电流和栅电流的低频噪声,发现一些样品器件中漏源电流不存在明显的RTS噪声,而栅......
质子辐照诱发电荷耦合器件(CCD)中的暗信号。建立了质子辐照电离损伤的辐射效应模型,通过应用半导体器件仿真软件MEDICI进行数值模......
基于金属-氧化物-半导体-场效应管(MOSFET)辐射损伤的微观机理,推导出了MOSFET经历辐照之后氧化层空穴俘获与阈值电压漂移之间关系......
基于氧化层陷阱电荷以及界面陷阱电荷的产生动力学以及辐射应力损伤的微观机理,推导出了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)中辐......
本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)......
基于部分耗尽型绝缘层上硅(SOI)器件的能带结构,从电荷堆积机理的电场因素入手,为改善辐照条件下背栅Si/SiO_2界面的电场分布,将半......
一、引言 半导体器件的性能与表面状态密切相关。在平面器件的硅-二氧化硅系统中存在多种表面态,其中之一便是界面能态(至于可动......
本文主要研究B~+、P~+、As~+离子注入的MOS结构经高温(>860℃)退火后的氧化层陷阱行为.用所建立的雪崩热电子注入及高频 C-V特性联......
等离子体加工技术已成为半导体器件,尤其是LSI科研和生产中不可缺少的工艺,因而等离子体对半导体器件的影响已是人们十分关注的问......
本文从表面载流子数涨落机构出发,建立了双极晶体管表面i/f噪声电流的完整理论关系式.测量了噪声与双极晶体管的基区表面势、表面......
MOS器件栅氧化层,是在有氯源1,1,1三氯乙烷(TCA)的条件下生长的。本文已给出击穿电压(BV)与TCA克分子浓度的关系曲线。为了考察用......
随着CMOS技术进入到超深亚微米技术时代，氮氧硅作为栅介质已得到广泛的应用。以PMOS器件在负偏压温度应力引起的阈值电压不稳定性(N......
位于Si-SiO2界面处的界面陷阱和氧化层陷阱是影响器件性能的主要因素之一.在器 件的使用过程中,诸如F-N应力、电离辐射及热载流子......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠......
对MOSFET器件的随机电报信号噪声(RTS）的特征进行了研究。室温下在极细沟道样品中观测到了大幅度(大于60％）的RTS，通过测量RTS的俘获时......
期刊
对n/p两种沟道类型、不同沟道尺寸MOSFET的1/f噪声特性进行了实验和理论研究.实验结果表明,虽然nMOSFET的1/f噪声幅值比pMOSFET大......
在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流Irf的r次方成正比,在小电流区,r≈1......
在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比,在小电流区,γ≈1,......
在电荷泵技术的基础上，提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对pMOS器件热载流子应力下的阈值电压退化的......
通过分析Ga Al As红外发光二极管(IRED)的低频噪声产生机理及特性,建立了Ga Al As IRED的噪声模型,设计了一套低频噪声测试系统,通......
提出了一种Ga Al As红外发光二极管自动温控RTS（Random Telegraph Signal）噪声测试新方法。通过分析Ga Al As IRLED的RTS噪声产生机......
寿命试验和噪声测试结果表明,如果集成运算放大器的主要失效模式是输入偏置电流或失调电流随时间的漂移,则这种漂移量与运放的1/f......
随着制造工艺进入65 nm节点,闪存的可靠性问题也越来越突出,其中闪存芯片擦除速度随着擦写循环的增加出现明显退化。该文从单个存......
MOSFET的1/f~α噪声与器件的尺寸、偏置电压、工作环境温度、电应力老化、辐射影响等有关。本文分析了MOSFE的1/f~(?)噪声随上述因......
基于测试对snapback应力引起的栅氧化层损伤特性和损伤位置进行了研究．研究发现应力期间产生的损伤引起器件特性随应力时间以近似幂......
提出了一种基于智能温控的RTS噪声测试与分析新方法。该方法利用高k栅介质SOI LDMOS边界陷阱特性,首先建立了含有俘获时间常数、发......
利用电荷泵技术研究了 4nmpMOSFET的热载流子应力下氧化层陷阱电荷的产生行为 .首先 ,对于不同沟道长度下的热载流子退化 ,通过直......
对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究，理论分析的界面态分布与......
随着MOSFET尺寸的不断缩小,器件的功耗问题和可靠性问题成为制约集成电路发展的重要因素。为了降低集成电路的功耗,隧穿场效应晶体......
碳化硅(Silicon Carbon,SiC)基垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Vertical Double Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Fi......
基于氧化层空穴俘获和质子诱导界面陷阱电荷形成物理机制的分析,分别建立了MOS结构电离辐射诱导氧化层陷阱电荷密度、界面陷阱电荷......
