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利用原子力显微镜对细胞色素C在汞表面生长过程进行研究，发现细胞色素C在汞表面首先形成的是高度稍大于1nm的吸附单分子层，随着生长时间的增加，吸附在汞表面的细胞色素C分子和溶液中的分子问相互作用，自组装形成生长活性点，生长速度明显加快，生长时间达到8min时，细胞色素C能形成底部直径达527nm，高度达138nm，分布密度约为1．2～2．3个/μm^2的细胞色素C分子集聚体．生长机理是吸附自组装机理．细胞色素C的浓度较大地影响其在Hg表面的自组装平衡，随着浓度的减少，细胞色素C所能形成的最大分子集聚体的高度