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通过对样品I-V特性和势垒高度等参数的测定，研究了钽对二氧化钛压敏电阻电学性能的影响。研究中发现掺入的x(Ta2O5)0.25％为的样品显示出最低的反转电压(Eb=6 V/mm)、最高的非线性常数(α=8.8)以及最高的相对介电常数(εr=6.2×104)这与该样品最高且最窄的晶界缺陷势垒相一致。样品的电学性能变化可用Ta5+对Ti4+的掺杂取代和该取代存在的饱和值来解释。相应的缺陷势垒模型用来解释势垒的形成。