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借助半导体专业软件Tsuprem-4和Medici详细研究了漂移区的长度、浓度以及结深，沟道区的长度、浓度，场极板的长度对高压PLDMOS击穿电压的影响。最终得到一组最佳的PLDMOS器件的参数。优化设计的高压PLDMOS器件的流片测试结果为：关态和开态击穿电压分别在200V和160V以上。
高压PLDMOS器件的优化设计
【摘 要】
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借助半导体专业软件Tsuprem-4和Medici详细研究了漂移区的长度、浓度以及结深，沟道区的长度、浓度，场极板的长度对高压PLDMOS击穿电压的影响。最终得到一组最佳的PLDMOS器件的
【机 构】
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东南大学IC学院
【出 处】
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电子与封装
【发表日期】
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2007年1期
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