【摘 要】
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We design and fabricate a good performance silicon photoconductive terahertz detector on sapphire substrates at room temperature.The best voltage responsivity o
【机 构】
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Key Laboratory of Polar Materials and Devices(Ministry of Education), Institute of Functional Materi
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We design and fabricate a good performance silicon photoconductive terahertz detector on sapphire substrates at room temperature.The best voltage responsivity of the detector is 6679 V/W at frequency 300 GHz as well as low voltage noise of 3.8nV/Hz1/2 for noise equivalent power 0.57pW/Hz1/2.The measured response time of the device is about 9 μs,demonstrating that the detector has a speed of > 110 kHz.The achieved good performance,together with large detector size (acceptance area is 3μm× 160 μm),simple structure,easy manufacturing method,compatibility with mature silicon technology,and suitability for large-scale fabrication of imaging arrays provide a promising approach to the development of sensitive terahertz room-temperature detectors.
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