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研究了Si(001)面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长，实验表明，在Si(001)6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为640℃，在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在Si(001)衬底成岛生长的临界厚度，6°斜切衬底上淀积0.7nm Ge即可成岛，少于Si(001)衬底片上Ge成岛所需的淀积量。从Ge量子点的密度随固相外延湿度的变化曲线，得到Ge量子点的激活能为1．9eV,远高于Si(111)面上固相外延Ge量子点的激活能0．3eV.实验亦