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采用化学气相沉积（CVD）法，在1050℃的温度下，以多孔硅（PS）为衬底，成功地制备出GaN纳米线．采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线能量色散谱（EDs）和光致发光（PL）谱对样品的物相、形貌、成分及发光性质进行了分析．研究结果表明，产物为六方纤锌矿结构的GaN纳米线，纳米线的直径范围为30nm到100nm，长度达几十微米，位于376．2nm处有一带边发射峰，在435．8nm处有一个因缺陷引起的弱发光峰．最后简单讨论了制备GaN纳米线的相关化学反应和生长机制．