陶瓷先驱体聚硅氮烷连接Cf/SiC工艺及连接性能

来源 :中国有色金属学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yuerenqiu
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采用陶瓷先驱体转化法连接Cf/SiC复合材料。针对Cf/SiC复合材料的不同连接界面特性,采用不同的连接配方和工艺。结果表明:对于第一类以SiC相为主的连接界面,采用单一的聚硅氮烷即可实现Cf/SiC复合材料的连接,当连接温度为1300℃,经两次浸渍/裂解增强处理的连接件接头抗剪强度达最大值29.6MPa;连接层厚度为2~3μm,其结构较为均匀致密,由无定型SiNC陶瓷组成;对于第二类以C纤维端面为主的连接界面,采用聚硅氮烷并加入活性填料纳米Al粉来实现其连接:当连接温度为1150℃,经两次浸渍/裂解增强
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