【摘 要】
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本文提出了一种低分压的湿-干氧氧化方法。利用该方法生长的薄氧化膜,具有比干氧氧化低的缺陷密度和优越的电击穿特性,而且固定电荷密度基本不变或稍有降低。实验结果表明,在
【机 构】
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华南理工大学物理系,华南理工大学物理系
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本文提出了一种低分压的湿-干氧氧化方法。利用该方法生长的薄氧化膜,具有比干氧氧化低的缺陷密度和优越的电击穿特性,而且固定电荷密度基本不变或稍有降低。实验结果表明,在一定的水温下,电击穿特性与湿氧分压和氧化温度有关。在较低的温度（850～950℃）下,随着湿氧分压的升高(从10<sup>-2</sup>～5×10<sup>-1</sup>atm),高场（≥8MV/cm）击穿的比率增大,而低场（≤4MV/cm）击穿的比率减小,而且,击穿比率的变化最后趋
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