C／C和C／C-SiC复合材料的氧化及烧蚀性能

来源 :上海大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：ydaf2ut9

【摘要】

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用液相浸渍-裂解聚硅烷工艺制备了C/C-SiC复合材料,对比了C/C与C/C-SiC复合材料的氧化及烧蚀性能,用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析了氧化与烧蚀前后的微观结构及物相变

【作者】

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李建军陈来孙晋良周春节张家宝任慕苏

【机构】

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上海大学,上海大学

【出处】

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上海大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

C/C复合材料 C/C-SIC复合材料氧化烧蚀 C/C composites C/C-SiC composites oxidation ablation

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用液相浸渍-裂解聚硅烷工艺制备了C/C-SiC复合材料,对比了C/C与C/C-SiC复合材料的氧化及烧蚀性能,用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析了氧化与烧蚀前后的微观结构及物相变化.结果表明:C/C-SiC复合材料使C/C复合材料的氧化起始温度从500℃提高到700℃;在600℃和700℃恒温氧化条件下,C/C-SiC复合材料比C/C复合材料的氧化速率分别降低38%和47%,失重率分别降低35%和47%;C/C-SiC复合材料的耐烧蚀性能优于C/C复合材料.

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