【摘 要】
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利用电子回旋共振CVD设备的射频磁控溅射方法制备了GeSb2Te4膜,采用原子力显微镜、纳米硬度计以及侧向力显微镜考察了不同溅射功率对GeSb2Te4膜表面微观结构以及力学性能的影
【机 构】
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江苏大学微纳米科学技术研究中心,中国矿业大学材料科学与工程学院
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利用电子回旋共振CVD设备的射频磁控溅射方法制备了GeSb2Te4膜,采用原子力显微镜、纳米硬度计以及侧向力显微镜考察了不同溅射功率对GeSb2Te4膜表面微观结构以及力学性能的影响.结果表明:在一定的溅射功率范围内,由于薄膜生长方式从三维向二维的转化,薄膜的表面粗糙度随功率的增大而降低,而且薄膜致密度也随之提高,从而使得非晶态GeSb2Te4膜硬度和弹性模量增大.利用能量密度理论对这一现象进行了分析.另外,由于表面能等因素的影响,功率为63 W制备的GeSb2Te4膜粘附力较高,摩擦系数却较小.
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