【摘 要】
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设计了一种三级台面的InGaAs/InP雪崩光电二极管,解决了器件边缘电场和暗电流较高的问题.采用Silvaco Atlas器件仿真软件分析了边缘间距、电荷层掺杂浓度及厚度、倍增层掺杂
【机 构】
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天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室,中国科学院半导体研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金（No.11673019）, 广西精密导航技术与应用重点实验室基金项目（No.DH201710）资助
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设计了一种三级台面的InGaAs/InP雪崩光电二极管,解决了器件边缘电场和暗电流较高的问题.采用Silvaco Atlas器件仿真软件分析了边缘间距、电荷层掺杂浓度及厚度、倍增层掺杂浓度及厚度对器件性能的影响.仿真结果表明,本文设计的三级台面器件在边缘间距为8μm时有最优器件尺寸和较低边缘电场.采用掺杂浓度为1×10~（17）cm^-3、厚度为0.2μm的电荷层和掺杂浓度为2×10^15cm^-3、厚度为0.4μm的倍增层,成功将高电场限制在中心区域,使得反偏电压40V时的边缘电场降
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