SiOx纳米线的热蒸发法制备及表征

来源 :汕头大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:yan2541023
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采用活性炭还原SnO2粉末得到的金属锡作为催化剂,在硅片上生长出SiOx(x在1~2之间)纳米线.分析900℃~1100℃下生长出来的SiOx纳米线发现,温度越高,纳米线越密集,表面也更光滑;分析不同温度梯度下生长出来的纳米线表明,硅片上温度梯度越小,生长的纳米线分布越均匀,直径也越均匀.并结合实验条件对SiOx纳米线的生长机理进行初步探讨.
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