【摘 要】
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在SiO_2/Si(P~(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较
【机 构】
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上海大学物理系量子与分子结构国际中心材料基因研究院,中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室,德国于利希研究中心,
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在SiO_2/Si(P~(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10~(-13)A)处的信号,限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS_2器件的表现,基于薄层SiO_2栅氧的MoS_2器件表现出了良好的性能和潜力,显示出丰富的应用前景.
A multi-layer MoS 2 back gate device was fabricated on SiO 2 / Si (P ~ (++)) substrate and tested. By optimizing and using 10 nm SiO 2 gate oxide, a good subthreshold swing of 86 mV / dec and about 107 times the current switching ratio.The device has a smaller subthreshold swing and smaller hysteresis amplitude, indicating that the device has less interface state / oxide group adsorbate caused by the gate leakage Drain current noise overwhelms the device’s signal at low currents (~ 10 ~ (-13) A), which limits its switching ratio measurement range.Based on the performance of MoS_2 devices in this paper and previous work, Oxygen MoS 2 devices have shown good performance and potential, showing a wealth of application prospects.
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