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本文论证了CMOS IC输入保护电路抗静电耐压大多小于2000伏的重要原因在于多晶硅保护电阻烧毁。并提出新的保护电阻设计方法及综合考虑CMOS IC抗静电与抗闭锁的内在联系,从而得到了优异抗静电与抗闭锁性能的设计实践经验,绘出了在HCMOS 74HC/HCT系列产品设计中的应用结果。
CMOS IC输入保护与抗闭锁设计
【摘 要】
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本文论证了CMOS IC输入保护电路抗静电耐压大多小于2000伏的重要原因在于多晶硅保护电阻烧毁。并提出新的保护电阻设计方法及综合考虑CMOS IC抗静电与抗闭锁的内在联系,从而
【机 构】
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骊山微电子学研究所陕西临潼
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1989年8期
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