Al2O3衬底上生长的40.2K转变温度的MgB2厚膜

来源 :低温物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：bb314949909

【摘要】

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我们采用混合物理化学气象沉积方法（简称HPCVD）方法在（0001）晶向的Al2O3衬底上成功的沉积了1．3微米厚的MgB2超导厚膜．电性测量表明这种厚膜具有40．2K的超导转变温度，转变宽度为0．15K，绝

【作者】

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张开成丁莉莉庄承钢陈莉萍陈晋平冯庆荣

【机构】

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北京大学物理学院

【出处】

：

低温物理学报

【发表日期】

：

2006年2期

【关键词】

：

MgB2超导厚膜 R-T曲线 SEM图 M-T曲线 MgB2 thick film SEM image R- T curves M- T curves

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我们采用混合物理化学气象沉积方法（简称HPCVD）方法在（0001）晶向的Al2O3衬底上成功的沉积了1．3微米厚的MgB2超导厚膜．电性测量表明这种厚膜具有40．2K的超导转变温度，转变宽度为0．15K，绝对零度时Hc2（0）为13．7T，同时剩余电阻率达到RRR=11．磁性测量表明这种厚膜在5K和零场的条件下具有5×10^6A／cm^3的高临界电流密度．

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